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半导体热沉“芯”突破,百万级天使轮融资加速产业进程

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10月23日,钨铱电子科技有限公司(钨铱电子,UNICCT)近日完成数百万元天使轮融资,投资方为煜华资本,融资资金将用于加速新品研发进度、提升已量产产品交付能力。


关于钨铱电子


钨铱电子(UNICCT)成立于2023年6月,以半导体工艺技术为核心支撑,专注微观宏观一体化散热仿真技术及低界面热阻技术的研究和相关产品生产。公司总部位于大连,并在苏州设有研发中心、成立石家庄生产基地,形成集研发、生产、销售于一体的IDM模式。其自建半导体洁净厂房达1000平米,具备百级、干级、万级等不同功能区,属国内先进的半导体薄膜产品生产线。

公司创始人徐会武先生曾就职于中国电子科技集团公司第十三研究所长达20年,作为“通信工程高级工程师”“半导体激光器专家”的徐会武与钨铱电子的研发团队将构成电器件、光器件的核心零部件封装基板/热沉的研发与产业化作为钨铱电子未来的主要发展方向。其产品参数指标可直接对标日本顶级产品,已获多家国内头部客户验证,订单放量在即。


技术创新



热沉片市场依据产品类型主要划分为金属热沉、陶瓷热沉及金刚石热沉等几个关键类别,其中,陶瓷热沉片占据主导地位,市场份额高达54%。近年来,得益于5G、物联网、人工智能等领域的迅猛发展,电子产品对热沉片的需求急剧上升。为应对下游市场对散热性能日益提升的要求,热沉制造技术的革新与升级显得尤为重要。

根据QYResearch等机构的最新数据,全球热沉片市场在近年来保持稳定增长,2023年的市场规模已达到约3亿美元,并有望在2030年增长至3.7亿美元,期间年复合增长率预计在3.3%至3.4%之间。然而,值得注意的是,作为热沉材料的关键组成部分,氮化铝(AIN)长期受到日本核心粉体产业链的垄断控制。面对日益严峻的应用挑战和激烈的市场价格战,以碳化硅(SiC)为标志的新一代材料和热沉技术的国产替代,已成为行业发展的关键所在。

 SiC热沉

作为一家专注第三代SiC热沉技术研发的企业,钨铱电子推出有陶瓷载体、预制焊料热沉、陶瓷盖板、薄膜无源集成共四类产品序列。创始人徐会武表示,通过使用SiC对AIN材料的直接替代,大功率器件的热阻可以降低10%以上。


未来愿景

钨铱电子已建立起涵盖清洗、光刻、镀膜DPC工艺、划片至检验的完整研发与生产流程体系,专注于为工业激光加工、激光显示投影及光通信等前沿领域的领军企业提供服务。凭借与这些行业头部客户的合作案例及其长期验证的正面效应,钨铱电子正积极拓展中型客户群,推动市场持续增长。


徐会武表示:“随着新质生产力发展和传统产业升级,包括热沉片在内,上游核心零部件需求非常旺盛。以激光显示赛道来看,海信的渗透速度非常迅猛,这种激光投影设备价格的下沉也带动销量数据的快速上涨,可以说,2024年是激光显示投影的爆发元年。这对像我们钨铱电子这种聚焦核心散热技术的企业来说,也是一个发展的机遇。”


展望未来,钨铱电子将继续深耕光电子细分领域,聚焦于切割焊接、激光显示、激光雷达及光通信等应用场景,依托自主研发的知识产权和技术创新能力,加速推进第三代碳化硅(SiC)热沉方案的国产替代进程。


来源 | 网络信息整理


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