国内第四代半导体领军企业-浙大系镓仁半导体完成近亿元融资

杭州镓仁半导体有限公司成立于2022年9月，是一家专注于氧化镓等宽禁带半导体材料研发、生产和销售的科技型企业。公司依托浙江大学硅及先进半导体材料全国重点实验室、浙江大学杭州国际科创中心，已形成一支以中科院院士为首席顾问，具备丰富行业经验的研发、生产、运营团队。

镓仁半导体引领行业创新，成功首创铸造法等氧化镓单晶生长新技术，并实现6英寸单晶衬底及2英寸(010)单晶衬底的生产技术突破。公司已掌握氧化镓生长、加工、外延等全链条的核心技术，获得十余项国际、国内发明专利，助力国内氧化镓相关产业摆脱国际垄断和封锁。为客户提供拥有完全自主知识产权的高品质氧化镓衬底产品。

公司产品包括不同尺寸、晶向和电阻率的氧化镓抛光片，可定制的氧化镓籽晶、晶锭等。产品主要应用于面向国家电网、新能源汽车、轨道交通、5G通信等领域的电力电子器件。

团队建立于2018年，在学术带头人杨德仁院士的设计和指导下，团队成员在浙江大学硅及先进半导体全国重点实验室率先开始氧化镓单晶材料研发；到了2020年，团队在浙江大学杭州国际科创中心开展了氧化镓单晶小试。这几年我们团队不断壮大，核心成员陆续加入杭州镓仁半导体有限公司，已经成长为一支以中科院院士为首席顾问的优秀研发与生产团队。研发人员在氧化镓的单晶生长、加工、检测等方面具有多年研发工作经验，背景涵盖物理、化学、材料及半导体领域，形成了多学科的交叉融合，同时具备丰富的公司运营和资本化经验。

技术进展方面，此前，镓仁半导体联合浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院、硅及先进半导体材料全国重点实验室，采用杨德仁院士团队自主开创的铸造法成功制备了高质量6英寸非故意掺杂及导电型氧化镓（β-Ga2O3）单晶衬底。

2024年4月，镓仁半导体推出了新产品2英寸晶圆级（010）氧化镓半绝缘单晶衬底，并实现了2英寸（010）氧化镓单晶衬底的自主量产，打破了国际垄断。

2024年7月，镓仁半导体成功制备出了3英寸晶圆级（010）氧化镓单晶衬底，据称为目前国际上已报导的最大尺寸。

来源：镓仁半导体、集邦化合物半导体、亚洲氧化镓联盟

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